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本发明公开了一种场效应晶体管的接触孔链电阻的监控结构，在N+孔链中增加部分区域，尤其是在孔接触区域增加P+注入，与原有孔链结构兼容，结构实现简单，监控结果对比显著，若出现新型结构孔链电阻偏小，而P+孔链电阻正常，可以轻松定位异常工序。本发明PN结孔链结构，在相同的工艺过程中，更能反映出工艺过程的波动，相对N+孔链、P+孔链结构，能更敏感的反映出工艺过程的变化，真实的反映产品批次间导通电阻的变化趋势。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112885813 A
(43)申请公布日 2021.06.01
(21)申请号 202110057448.7
(22)申请日 2021.01.15
(71)申请人 西安微电子技术研究所
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