半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-08 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

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本公开提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包含半导体堆叠和第一欧姆接触件。所述半导体堆叠形成于衬底上。所述半导体堆叠具有第一氮化物半导体层和形成于所述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层。所述第二氮化物半导体层具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更宽的带隙。所述第一欧姆接触件安置于所述半导体堆叠上方。所述第一欧姆接触件具有暴露所述第一氮化物半导体层的第一开口。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112840464 B (45)授权公告日 2022.07.12 (21)申请号 202180000662.7 (74)专利代理机构深圳宜保知识产权代理事务