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用于制造具有掩埋深沟槽结构的传感器设备的方法，包括：提供具有感测区域的半导体衬底；通过掩模层的露出区域将深沟槽结构蚀刻到半导体衬底中，以用于相对于感测区域横向地并且从主表面区域竖直地将深沟槽结构布置到半导体衬底中；通过外延选择性地将掺杂半导体层沉积在深沟槽结构的表面区域上，以用于提供涂敷的深沟槽结构；至少部分地移除掩模层，以用于露出半导体衬底的主表面区域；将半导体封盖层沉积在半导体衬底的主表面区域上；以及将掺杂半导体层的掺杂物向外扩散到加厚的半导体衬底中，其中向外扩散的掺杂物提供了沟槽掺杂区域，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112885854 A
(43)申请公布日 2021.06.01
(21)申请号 202011359817.X
(22)申请日 2020.11.27
(30)优先权数据
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