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根据本发明构思的一些实施例，半导体存储器件包括：多个模制绝缘层，位于衬底上并且彼此间隔开；多个半导体图案，分别位于所述多个模制绝缘层中的彼此相邻的模制绝缘层之间；多个栅电极，位于所述多个半导体图案中的相应的半导体图案上；信息存储元件，包括电连接到所述多个半导体图案中的每一者的第一电极、位于第一电极上的第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的电容器电介质膜；位线，位于衬底上并且接触半导体图案；以及绝缘缓冲膜，位于第一电极和第二电极之间，并且位于所述多个模制绝缘层中的相应的模制绝缘层的侧壁上。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116234317 A
(43)申请公布日 2023.06.06
(21)申请号 202211478284.6 H10B 43/30 (2023.01)
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