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高散热芯片封装互连材料.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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高散热芯片封装互连材料.pdf

    本发明提供一种高散热芯片封装互连材料，包括：中间散热介电层以及纳米金属膏体层，所述中间散热介电层上设有孔结构和/或RDL线槽，所述纳米金属膏体层为由纳米金属膏体注入填充所述中间散热介电层的表面以及所述表面上的所述孔结构和/或所述RDL线槽而形成。本发明的高散热芯片封装互连材料，可实现高散热、厚度均匀、很好的控制互连层的平整度，在不影响半导体封装互连模块电气性能前提下，实现低温条件下互连，且可满足小间距、大功率、高温高压等条件下的使用，采用RDL再布线槽纳米金属膏体布线，能够在低温下实现金属线路快

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864125 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202110041060.8 (22)申请日 2021.01.13 (71)申请人 深圳第三代半导体研究院

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