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本发明公开了一种氧化镓纳米管及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在衬底上设置催化剂，并利用所述催化剂在衬底上生长形成氧化镓纳米线；去除氧化镓纳米线顶端的催化剂，或者，使氧化镓纳米线顶部的催化剂在纳米线生长过程中被自然耗尽；在氧化镓纳米线顶端面中央位置设置金属镓，其后通过金属镓与氧化镓的自反应腐蚀使氧化镓纳米线内部被腐蚀，从而获得内部中空的氧化镓纳米管。本发明实施例提供的一种氧化镓纳米管的制备方法，利用镓自反应腐蚀技术实现了垂直于衬底表面的高晶体质量纳米管阵列的制备，避免了其他材料对纳米管的污染
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112875742 A
(43)申请公布日 2021.06.01
(21)申请号 202110036299.6
(22)申请日 2021.01.12
(71)申请人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿
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