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一种层状羟基氯化铜粉体材料及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-09 发布于四川
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一种层状羟基氯化铜粉体材料及其制备方法.pdf

    本发明的一种层状羟基氯化铜粉体材料及其制备方法，属于准二维层状金属羟基卤化物晶体材料制备的技术领域。以纯的具有层状单斜结构的羟基氯化铜(Cu(OH)Cl)晶体粉末为初始原料，在高压装置(DAC)中对初始原料加压至18.7～28.4GPa，卸压至常压，得到两种不同结构的羟基氯化铜(Cu(OH)Cl)混合共存的粉末材料。本发明首次通过高压合成的方法得到了在常压下仍然能稳定存在的具有层状正交结构的羟基氯化铜Cu(OH)Cl晶体材料，有望在量子自旋液体、自旋电子学、阻挫磁性材料等领域获得应用；并且具有过

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112897568 B (45)授权公告日 2022.01.04 (21)申请号 202110323216.1 CN 105129749 A,2015.12.09 (

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