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稳压二极管的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-09 发布于四川
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稳压二极管的制备方法.pdf

    本发明提供了一种稳压二极管的制备方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成外延层，对所述外延层进行离子注入以在所述外延层中形成若干阱区；在所述外延层上形成硅化物层，所述硅化物层覆盖所述外延层；刻蚀所述硅化物层的部分厚度以使所述硅化物层中形成若干凸起部，所述凸起部位于所述阱区的中心区域的上方；对所述凸起部相对的两侧下方的所述阱区分别进行离子注入，以形成第一掺杂区和第二掺杂区。本发明以解决稳压二极管的击穿电压不符合设计要求的问题。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112908850 A (43)申请公布日 2021.06.04 (21)申请号 202110257099.3 (22)申请日 2021.03.09 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司

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