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2023-06-09 发布于四川
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一种具有用于低导通电阻的金属互连布局的横向功率半导体器件。金属互连布局包括第一、第二和第三金属层，每个金属层包括源极条和漏极条。第一、第二和第三金属层中的源极条电连接。第一、第二和第三金属层中的漏极条电连接。在一个实施例中，第一金属层和第二金属层是平行的，并且第三金属层垂直于第一金属层和第二金属层。在另一个实施例中，第一金属层和第三金属层是平行的，并且第二金属层垂直于第一金属层和第三金属层。非导电层确保焊接凸点仅电连接至源极条或仅电连接至漏极条。因此，存在多个可用路径，并使电流能够采用多个可用路

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112913031 A (43)申请公布日 2021.06.04 (21)申请号 201980068467.0 (74)专利代理机构北京市磐华律师事务所

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