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本发明公开一种神经元定向生长和神经太赫兹信号激励集成芯片，包括传感芯片单元和微流控细胞培养单元，传感芯片单元包括二氧化硅基底和金膜层，金膜层上刻蚀有纳米孔周期阵列结构，纳米孔周期阵列结构由周期性阵列排布的多组双纳米孔构成，利用金膜层与微米级微流通道结合，形成控制神经元生长的区域，并利用特殊微流通道结构的微机械力，阻止或促进神经元在某些方向的生长。并利用外加太赫兹电磁信号和生物引导因子，进一步调控神经元生长速度。本发明实现了神经元轴突在传感芯片的微纳精度内的定向、定向生长、传感元件的纳米孔部位与待
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112877213 A
(43)申请公布日 2021.06.01
(21)申请号 202110332957.6
(22)申请日 2021.03.29
(71)申请人 中北大学
地址 03
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