一种基于ICP刻蚀的连续曲面三维微结构制备方法.pdfVIP

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2023-06-09 发布于四川
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一种基于ICP刻蚀的连续曲面三维微结构制备方法.pdf

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本发明公开了一种基于ICP刻蚀的连续曲面三维微结构制备方法，包括以下步骤：制备母模具；制备PDMS软模具；制备掩膜层微结构；微结构刻蚀转移。本发明实现了硅基底/碳化硅基底上连续曲面微结构的一次成型制造，并且工艺性良好，适于大批量生产；通过调节抗蚀层和基底的刻蚀比例，可以实现连续曲面微结构按比例转移到基底上，转移后的微结构尺寸可控。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112897455 A (43)申请公布日 2021.06.04 (21)申请号 202110074713.2 (22)申请日 2021.01.20 (71)申请人西安应用光学研究所地