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本发明公开了一种结合单槽精确保角映射与等效磁路模型的永磁游标电机电磁性能分析方法，所述的设计方法包括以下步骤：通过单槽精确保角映射及相应逆变换求解出永磁游标电机的气隙磁场分布；根据求得的磁场分布，引入等效磁路模型，通过单槽保角映射法与等效磁路模型相互迭代，求解出考虑永磁游标电机饱和与槽漏磁下的磁势分布；通过矢量磁位计算永磁游标电机的空载反电动势，通过麦克斯韦张量理论计算永磁游标电机的电磁转矩。本发明在减少计算时间的同时保证了结果的准确性，计算出考虑饱和效应与槽漏磁的永磁游标电机磁场分布及其电磁性
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112906259 B
(45)授权公告日 2022.05.03
(21)申请号 202110096521.1 (56)对比文件
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