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闪存存储器的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-09 发布于四川
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闪存存储器的制造方法.pdf

    本发明提供一种闪存存储器的制造方法，通过减薄侧墙材料层的厚度，能够增大侧墙材料层中的第二开口的开口尺寸，如此，可以增大后续刻蚀所述侧墙材料层的工艺窗口，使得在刻蚀所述侧墙材料层以形成侧墙层后，能够暴露出部分所述控制栅材料层，由此避免了侧墙层阻挡后续刻蚀控制栅材料层，从而在后续刻蚀所述控制栅材料层时，能够分断所述控制栅材料层，并利用分断的所述控制栅材料层构成控制栅层，进而可以解决由于侧墙层阻挡刻蚀控制栅材料层而引起的闪存存储器中的控制栅短路的问题。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112908859 A (43)申请公布日 2021.06.04 (21)申请号 202110313042.0 (22)申请日 2021.03.24 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司

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