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- 2023-06-09 发布于四川
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本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种显示面板、薄膜晶体管及其制备方法，薄膜晶体管包括：基板以及设于基板上的栅极、栅极绝缘层、沟道层、源极、漏极以及绝缘保护层；栅极绝缘层包括第一氮化硅层、设于第一氮化硅层上的第二氮化硅层以及设于第二氮化硅层上的第三氮化硅层，其中，第三氮化硅层位于沟道层与第二氮化硅层之间，且第三氮化硅层中的氮硅的浓度比例小于1，通过使第三氮化硅层中的含硅量大于含氮量，促进栅极绝缘层与沟道层之间的界面处的硅原子的原子化学键接触更加紧密，同时也可以改善其界面应力，提高界面应力的匹
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112909087 A
(43)申请公布日 2021.06.04
(21)申请号 202110253417.9
(22)申请日 2021.03.08
(71)申请人 滁州
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