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本发明公开了一种三硒化二铟纳米带及其制备方法和应用。所述制备方法，包括如下步骤：S1.在管式炉中，将硒源加热到220～360℃，将铟源加热到400～630℃；所述硒源为硒粉，所述铟源为负载氧化铟的衬底；S2.密封管式炉腔体并抽真空后，以流量为20～80sccm的氩气为载气，将管式炉腔体压强恢复至常压，再升温至900～980℃后，经过沉积、降温，得到所述三硒化二铟纳米带。本发明通过选择合适的硒源和铟源，通过化学气相沉积方法，在无催化剂辅助作用的情况下，在管式炉中制备得到了纳米带形貌的三硒化二铟材料
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112897478 B
(45)授权公告日 2022.02.22
(21)申请号 202110170558.4 (56)对比文件
(22)申请日 2021.02.08
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