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本发明提供了一种2.5D封装结构及其制作方法，包括：制备硅转接板，在所述硅转接板的正面形成第一电性引出结构；通过第一电性引出结构进行晶圆级倒装贴片；在所述硅转接板的正面进行晶圆塑封工艺，形成塑封层；减薄塑封层，以使所述硅转接板厚度均匀；在对应的晶圆切割道位置切割所述塑封层，直到暴露出所述硅转接板的正面为止；通过金属溅射工艺或电镀工艺，在塑封层的表面形成电磁屏蔽层；通过临时键合工艺，在硅转接板的背面形成第二电性引出结构；切割所述硅转接板形成多个芯片封装体；将所述芯片封装体通过第二电性引出结构附连至
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112908867 A
(43)申请公布日 2021.06.04
(21)申请号 202110061966.6 H01L 23/48 (2006.01)
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