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- 2023-06-09 发布于四川
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公开了一种NOR型存储器件及其制造方法及包括该NOR型存储器件的电子设备。根据实施例，该NOR型存储器件可以包括：在衬底上竖直延伸的栅堆叠，栅堆叠包括栅导体层和存储功能层；以及围绕栅堆叠的外周、沿栅堆叠的侧壁延伸的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层相对于衬底分别处于不同的高度处。存储功能层介于第一半导体层与栅导体层以及第二半导体层与栅导体层与之间。第一半导体层和第二半导体层中的每一个包括在竖直方向上依次设置的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区。在栅堆叠与第一半导体层相交之处以
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112909015 A
(43)申请公布日 2021.06.04
(21)申请号 202110252871.2
(22)申请日 2021.03.08
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
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