单片集成BAW谐振器制作方法.pdfVIP

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2023-06-09 发布于四川
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单片集成BAW谐振器制作方法.pdf

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一种单片集成BAW谐振器制作方法，包括：准备一压印模板(S1)；在衬底上形成掩膜材料层(S2)；采用所述压印模板向所述衬底方向按压所述掩膜材料层以形成掩膜凹槽(S3)；以形成掩膜凹槽的所述掩膜材料层为掩膜对所述衬底进行等离子刻蚀(S4)，在衬底形成与数个掩膜凹槽位置一一对应的凹槽；在所述数个凹槽内形成依次层叠的底层电极层、压电层以及顶层电极层，进而形成不同频率的谐振器(S5)；其中数个底层电极层厚度相同且均小于凹槽的深度，数个谐振器中至少有两个谐振器的压电层厚度不同，或者至少有两个谐振器的顶层电

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112913141 A (43)申请公布日 2021.06.04 (21)申请号 201880098865.2 (51)Int.Cl.