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闪存器件的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-09 发布于四川
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闪存器件的制备方法.pdf

    本发明提供了一种闪存器件的制备方法，包括提供衬底，在所述衬底上依次形成第一介质层、浮栅层及第二介质层；依次刻蚀所述第二介质层及浮栅层以形成开口，所述开口显露出所述第一介质层，刻蚀完成后所述浮栅层形成浮栅尖端；在所述开口的侧壁上形成侧墙；在所述开口中填充擦除栅层；对所述擦除栅层进行退火工艺，且所述退火工艺的工艺气体为氮气。本发明避免浮栅尖端产生钝化，以提高闪存器件的擦除速率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112908856 A (43)申请公布日 2021.06.04 (21)申请号 202110258184.1 (22)申请日 2021.03.09 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司

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