原创力文档- 1
- 0
- 约1.32万字
- 约 12页
- 2023-06-09 发布于四川
- 举报
本发明公开了一种模拟电磁辐射下的三维Hopfield神经网络的等效模拟电路，包括负输出双曲正切函数实现电路以及三维的Hopfield神经网络主电路。本发明将三次磁控忆阻器模型作为突触连接引入到神经系统中，以Hopfield神经元为研究对象，引入电磁辐射效应作为控制参量，设计出可以模拟电磁辐射下Hopfield神经网络复杂行为的电路。本发明结构清晰，所用元器件简单可寻，易于理论分析和电路集成。该电路用电磁辐射强度λ控制，只需改变一个可变电阻值Rx，即可产生复杂的动力学行为，对神经系统中的电磁辐射效
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112906878 A
(43)申请公布日 2021.06.04
(21)申请号 202110265324.8
(22)申请日 2021.03.11
(71)申请人 杭州电子科技大学
地址
文档评论（0）