一种梯度金属氧化物忆阻器的制备方法.pdfVIP

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2023-06-09 发布于四川
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一种梯度金属氧化物忆阻器的制备方法.pdf

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本发明公开了一种梯度金属氧化物忆阻器的制备方法，包括以下步骤：S1、在衬底表面制备金属底电极；S2、将底电极在氧气环境下加热至300～400℃，保持10～3000min，自然冷却后底电极表面形成梯度金属氧化物；S3、在梯度金属氧化物表面制备金属顶电极。本发明可以降低氧空位迁移的随机性，从而令功能层形成稳定多值，令缺陷迁移的随机性减小，从而提高了忆阻器的稳定性和一致性，给忆阻器的发展作出了一定的贡献。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112909165 A (43)申请公布日 2021.06.04 (21)申请号 202110093471.1 (22)申请日 2021.01.22 (71)申请人江苏集萃脑机融合智能技术研究所