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- 2023-06-09 发布于四川
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公开了一种NOR型存储器件及其制造方法及包括该NOR型存储器件的电子设备。根据实施例，该NOR型存储器件可以包括：叠置在衬底上的多个器件层，其中，每个器件层包括在竖直方向上处于相对两端的第一源/漏区和第二源/漏区以及在竖直方向上处于第一源/漏区与第二源/漏区之间的沟道区；以及相对于衬底竖直延伸以穿过各个器件层的栅堆叠，栅堆叠包括栅导体层和设置在栅导体层与器件层之间的存储功能层，在栅堆叠与器件层相交之处限定存储单元，其中，第一源/漏区和第二源/漏区中的掺杂浓度在竖直方向上朝向沟道区减小。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112909010 A
(43)申请公布日 2021.06.04
(21)申请号 202110252926.X
(22)申请日 2021.03.08
(71)申请人 中国
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