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本发明一种大功率混沌半导体激光发生装置及其发生方法，属于大功率混沌半导体激光发生装置技术领域；所要解决的技术问题为：提供一种大功率混沌半导体激光发生装置结构的改进；解决该技术问题采用的技术方案为：包括用于产生大功率激光的相干阵列激光发生器，所述相干阵列激光发生器的内部设置有激光发生芯片，还包括用于对相干阵列激光发生器发射激光束的垂直发散角进行压缩的柱面透镜、用于将相干阵列激光发生器所发射激光束的旁瓣光束反射回相干阵列激光发生器内部的球面反射镜，所述相干阵列激光发生器中的激光发生芯片接收到反射光束
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112909727 B
(45)授权公告日 2022.05.13
(21)申请号 202110194728.2 CN 109856644 A,2019.06.07
(22)
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