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本发明公开了一种碳化硅单晶的液相生长装置及液相生长方法，所述装置包括：第一生长组件，容纳有第一坩埚，所述第一坩埚用于为所述碳化硅单晶提供液相生长场所；第二生长组件，容纳有第二坩埚，所述第二坩埚内设有盛放原料碳的空间；石墨管组件，所述第一坩埚和所述第二坩埚通过所述石墨管组件连接形成通路，硅溶液和所述碳经所述通路在所述第一坩埚和所述第二坩埚中流动扩散，并在所述第一坩埚内形成所述碳在所述硅溶液中的过饱和溶液，以液相生长得到所述碳化硅单晶。根据本发明可以有效地解决碳在溶硅溶液中溶解度过低，晶体无法长大的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112921399 A
(43)申请公布日 2021.06.08
(21)申请号 202110075714.9
(22)申请日 2021.01.20
(71)申请人 中电化合物半导体有限公司
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