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一种形成半导体器件的方法包括：形成位于半导体区上方的伪栅极堆叠件；去除伪栅极堆叠件，以在栅极间隔件之间形成沟槽；形成延伸至沟槽中的替换栅极电介质；形成位于替换栅极电介质上的替换栅极电极。形成替换栅极电极包括沉积含金属层。沉积含金属层包括沉积具有第一平均粒度的下层；沉积位于下层上方的上层。下层和上层通过相同材料形成，并且上层具有大于第一平均粒度的第二平均粒径粒度。形成位于替换栅极电极的相对侧上的源极和漏极区。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112951767 A
(43)申请公布日 2021.06.11
(21)申请号 202011351772.1
(22)申请日 2020.11.26
(30)优先权数据
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