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本发明公开了一种新结构薄膜体声波谐振器及其制备方法，是由上电极、第一压电层、第二压电层、第三压电层和下电极所组成的新型结构，随着5G时代的到来，谐振器的发展越来越朝着微型化、集成化和高频的方向走，市场对谐振器性能的要求越来越高，声表面波谐振器(SAW)难以满足高频的应用，但薄膜体声波谐振器(FBAR)存在着机电耦合系数不高的缺陷。本发明通过改变传统薄膜体声波谐振器单一的压电层，能够有效地减少压电层的电损耗；通过调节各层压电层的厚度，达到调节薄膜体声波谐振器机电耦合系数的目的，本发明还公开了一种新
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112953448 A
(43)申请公布日 2021.06.11
(21)申请号 202110184709.1
(22)申请日 2021.02.10
(71)申请人 武汉
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