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本发明属于天理物理和核材料技术领域，具体涉及一种常压制备氦晶体的方法。本发明方法只需要提供低温条件并维持系统恒温，将低能氦原子逐个注入到带有位错和小角晶界的钛金属基底层中，由于钛基底的压强作用，氦原子在钛金属基底层发生迁移、聚集、形核并逐渐向滑移面生长；随着氦的继续引入，氦泡不断长大，其原子排列始终保持密排六方晶体结构形成氦晶体，利用金属内部的压强即可制备出密排六方结构的晶体氦，突破了传统的利用高压装置使氦液化或固化的条件限制，使氦晶体的常压制备成为可能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112962141 A
(43)申请公布日 2021.06.15
(21)申请号 202110148544.2
(22)申请日 2021.02.03
(71)申请人 华北水利水电大学
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