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本发明公开了一种免胶式晶圆贴膜工艺,属于半导体领域,一种免胶式晶圆贴膜工艺,包括晶圆模板和晶圆本体,晶圆模板的上表面开设有环形凹槽,晶圆本体放置于晶圆模板的内部,本方案通过免胶膜来替代传统的胶水膜以保护晶圆的正面,有效降低晶圆被污染的风险,免胶膜利用负压原理吸附在晶圆上,通过辊轮的滚压使挤压腔向外排出空气以降低其内部的气压,并通过吸附加强膜来增吸附力,有效提高免胶膜的稳定性,它还利用还原铁粉消耗氧气的特性来降低挤压腔内的气压,进一步加强吸附力,通过充气膨胀的方式将免胶膜的侧边固定住,提高稳定性的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112967994 A
(43)申请公布日 2021.06.15
(21)申请号 202110158493.1
(22)申请日 2021.02.05
(71)申请人 姜黎平
地址 044
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