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本发明公开了一种硅表面钝化层的制备方法，所述方法为：将硅片清洗除杂后，浸入体积浓度10％HF水溶液中；再在N2环境下进行烘烤干燥，获得干燥后的硅片；将干燥后的硅片浸入体积浓度10‑50％HF水溶液中进行表面基团处理，去离子水清洗，获得F基化的硅片；将F基化的硅片放入原子层沉积设备中，在60‑180℃下交替通入TiCl4和H2O，重复循环，在硅片正反表面制备TiOx薄膜层，即为钝化层。本发明实现了高少数载流子寿命的硅表面钝化，避免了传统钝化膜制备中的高温工艺，制备的TiOx钝化硅片少子寿命可直接达
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112928185 A
(43)申请公布日 2021.06.08
(21)申请号 202110185158.0 C23C 16/455 (2006.01)
(22)申请日
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