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- 2023-06-10 发布于四川
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本申请涉及半导体材料制备技术领域的一种氮化硼坩埚的清洗方法,所述清洗方法包括一次腐蚀清洗、打磨、二次腐蚀清洗和干燥步骤。本申请的工艺的施行最大程度的减少了坩埚内表面断层中的杂质夹杂,最大量的去除坩埚表面各种杂质元素及其化合物或氧化物,提高了单晶的迁移率和重复使用次数,节约了因频繁更换坩埚带来的辅材成本,提高了生产效率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115709204 A
(43)申请公布日 2023.02.24
(21)申请号 202211149929.1 B08B 9/093 (2006.01)
(22)申请日 2022.09.
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