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本发明提供一种功率半导体芯片封装结构、封装方法及封装模块,功率半导体芯片封装结构包括:基板电极;位于部分基板电极上的功率半导体芯片,功率半导体芯片背离基板电极的一面具有栅极;位于部分基板电极上且位于功率半导体芯片侧部的衬板,衬板背离基板电极的一侧表面具有第一导电层;连接栅极和第一导电层的键合引线;位于第一导电层上且与第一导电层固定连接的第一弹性测试电极,第一弹性测试电极适于在垂直于基板电极表面的方向上弹性形变。所述功率半导体芯片封装结构实现压接测试的同时结构稳定性提高。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112928090 A
(43)申请公布日 2021.06.08
(21)申请号 202110122169.4 H01L 21/66 (2006.01)
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