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本发明提供了一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法，包括S1、将硅片置于粗抛机进行粗抛S2、将硅片置于中抛机进行中抛S3、将硅片置于精抛机进行精抛S4、抛光后进行初清洗S5、初清洗后进行最终清洗。本发明所述的硅片抛光采用的是化学机械抛光的方式，碱性抛光液对硅片有一定的腐蚀性,在中、精抛抛光过程结束及存放硅片的水槽使用界面活性剂，可以降低抛光液和水的氧化，从而降低氧化层的厚度，抛光后清洗采用低温低浓度的工艺方法，可以降低碱性清洗液对硅片的腐蚀氧化，同时通过新的SC‑2工艺可以利用HF将残留的氧化
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112959140 A
(43)申请公布日 2021.06.15
(21)申请号 202110134586.0
(22)申请日 2021.01.29
(71)申请人 中环领先半导体材料有限公司
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