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本发明提供一种屏蔽栅功率器及其制造方法。本发明的屏蔽栅功率器的制造方法中，对第一初始介质层执行第一刻蚀工艺时，还会对第一缺口进行刻蚀而形成第二缺口，相当于通过第一刻蚀工艺对第一缺口进行了修正，使得修正后形成的第二缺口的开口对应的所述第二平面相较于第一缺口的开口对应的第一平面更平，进而在后续继续刻蚀第一初始介质层之前在外延层顶表面形成第二掩模层时，掩模材料通过更平的第二平面填入第二缺口时，更容易填充且填充更充实。从而防止了在刻蚀第一初始介质层形成第一介质层时出现朝向第一初始介质层中心倾蚀严重的现象
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111681962 A
(43)申请公布日
2020.09.18
(21)申请号 20201
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