DRAM及其形成方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.56万字
约 13页
2023-06-10 发布于四川
举报
版权申诉

DRAM及其形成方法.pdf

1、本文档共13页，其中可免费阅读12页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一种DRAM及其形成方法，所述DRAM的形成方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有的若干分立的有源区；刻蚀所述有源区，在所述有源区中形成字线沟槽；通过沉积工艺在所述字线沟槽的侧壁和底部表面形成氮化硅层；将所述氮化硅层完全氧化，在所述字线沟槽的侧壁和底部表面形成氧化硅层；在所述氧化硅层上形成字线。即形成的字线氧化硅层是通过将氮化硅层完全氧化获得，因而不会消耗字线沟槽两侧的源区和漏区中的硅，使得形成的氧化硅层的厚度由氮化硅层的厚度决定，保证了氧化硅层厚度的稳定，从而使得沟槽型的晶体管在同等

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112951827 A (43)申请公布日 2021.06.11 (21)申请号 202110285121.5 (22)申请日 2021.03.17 (71)申请人长鑫存储技术有限公司