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本发明属于微纳光纤制备相关技术领域，其公开了一种基于二氧化钒的微纳光纤温度传感器及其制备方法，包括以下步骤：(1)将单模光纤表面的涂覆层去掉一部分后，刻蚀去掉涂覆层区域的光纤包层或者采用熔融拉伸法对去掉涂覆层区域加热及拉伸以得到微纳光纤；(2)通过磁控溅射将金属钒镀到微纳光纤的刻蚀区域或者拉伸区域以得到纳米级别厚度的金属钒膜；(3)将镀膜后的微纳光纤在惰性气氛下进行退火处理以使得金属钒膜转变成M相二氧化钒膜，得到微纳光纤温度传感器。本发明采用磁控溅射镀金属膜后用管式炉退火的方法得到二氧化钒薄膜，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115711686 A
(43)申请公布日 2023.02.24
(21)申请号 202211241787.1
(22)申请日 2022.10.11
(71)申请人 华中科技大学
地址 430074
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