一种金掺杂氮化硼薄膜的制备方法.pdfVIP

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2023-06-10 发布于四川
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一种金掺杂氮化硼薄膜的制备方法.pdf

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本发明公开了一种金掺杂氮化硼薄膜的制备方法，现有技术中贵金属元素掺杂后，可以改变h‑BN的导电类型、降低禁带宽度和电导能力。不同于石墨烯，h‑BN单分子层薄膜的制备非常困难；本发明采用氨硼烷和金作为h‑BN前驱物和掺杂剂，通过气相法在基底上制备出金掺杂h‑BN薄膜，厚度从单分子层厚度到20nm。制备的h‑BN其光学、电学性能可通过金掺杂量进行调节。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112941466 B (45)授权公告日 2022.08.23 (21)申请号 202110122717.3 C23C 16/34 (2006.01) (22)申请日 2021.01