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本发明公开了一种二维碳纳米片阵列负载金属单原子的制备方法。该方法为：将预处理后的载体置于反应液中浸泡，取出晾干后得到MOF阵列前体材料；然后将MOF阵列前体材料进行焙烧处理，焙烧完成后经过或不经过刻蚀得到二维碳纳米片阵列负载金属单原子。本发明利用MOF的限域转化策略，首次实现金属单原子在一体化阵列载体表面的有效制备，解决了单原子催化剂催化活性及活性位利用率低、稳定性差的问题。二维碳纳米片的使用可以极大的提高材料的比表面积，有利于单原子的暴露及利用。此外，阵列结构可以促进电子在活性位点和集流体之间
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112916008 A
(43)申请公布日 2021.06.08
(21)申请号 202110095262.0 B01J 37/02 (2006.01)
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