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本发明涉及一种半导体器件及其制作方法。包括：获取包括存储单元阵列区的衬底；形成字线沟槽；在字线沟槽内形成字线导电薄膜；在衬底表面形成光刻胶，光刻胶覆盖字线部的字线导电薄膜且露出字线接触部之外的字线导电薄膜；使得字线接触部的字线导电结构的厚度大于未被光刻胶覆盖的字线导电结构的厚度。通过在衬底表面形成光刻胶，使得字线接触部的字线导电结构的厚度大于未被光刻胶覆盖的字线导电结构的厚度，从而降低了字线接触结构中字线接触孔的开窗位置深度，减少了形成接触孔工艺制程中的工艺时间，降低了接触孔工艺制程中对接触孔开
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112951825 A
(43)申请公布日
2021.06.11
(21)申请号 20191
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