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本发明提供了一种功率器件模块及其制作方法,包括:第一半导体掺杂层;位于第一半导体掺杂层一侧的第二半导体掺杂层;位于第二半导体掺杂层背离第一半导体掺杂层一侧表面的衬底和第一阳极;位于第一半导体掺杂层另一侧的第三半导体掺杂层、阴极和绝缘介质层;位于第三半导体掺杂层表面的第二阳极;其中,第一阳极、第三半导体掺杂层、第一半导体掺杂层和阴极构成第一个二极管,第二阳极、第二半导体掺杂层、第一半导体掺杂层和阴极构成第二个二极管,第一个二极管和第二个二极管并联,从而在不扩展晶圆面积的情况下,通过在衬底另一侧制造
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112928114 B
(45)授权公告日 2022.08.23
(21)申请号 202110150061.6 审查员 周忠堂
(22)申请日 2021.02.03
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