电子器件及其制造方法.pdfVIP

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本文提供了一种包括半导体存储器的电子器件。该半导体存储器可以包括存储元件。每个存储元件包括：选择元件层，其中在绝缘材料中掺杂有第一掺杂剂；以及可变电阻层，其中在所述绝缘材料中掺杂有第二掺杂剂，其中，所述第二掺杂剂在所述绝缘材料中的扩散率大于所述第一掺杂剂在所述绝缘材料中的扩散率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112993155 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202010862646.6 H01L 27/22 (2006.01)

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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