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一种P型薄膜晶体管及其制备方法和反相器.pdfVIP

一种P型薄膜晶体管及其制备方法和反相器.pdf

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    本发明公开了一种P型薄膜晶体管，包括衬底、栅电极层、栅介质层、沟道层、源电极层和漏电极层；其中，所述栅电极层形成于所述衬底表面；所述栅介质层形成于所述栅电极层表面；所述沟道层形成于所述栅介质层表面；所述源电极层和所述漏电极层均形成与所述沟道层表面，且所述源电极与所述漏电极之间具有间隔；所述栅介质层为固态质子导体材料；所述沟道层为碘化铜薄膜；本发明公开的P型薄膜晶体管具有有较好的稳定性，较高的载流子迁移率和开关流比，较低的阈值电压和亚阈值摆幅，本发明还公开了P型薄膜晶体管的制备方法和反相器，反相器

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113013253 B (45)授权公告日 2022.06.28 (21)申请号 202110209509.7 (51)Int.Cl.

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