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本发明公开了一种含有插层的石墨烯/硅肖特基结光电探测器及制备工艺。该探测器包括硅基底、二氧化硅、背面电极、硅窗口、钆铁石榴石插层、石墨烯和正面环形电极。利用钆铁石榴石薄膜优异的绝缘性能提高石墨烯/硅肖特基结的势垒高度，进而增大内建电场并抑制反向饱和暗电流；利用钆铁石榴石薄膜优异的均匀性和连续性，钝化硅表面，降低表面态密度，进而减小表面复合暗电流。使得该探测器的暗电流得到抑制，光电流提到提升，进而提高器件的开关比、探测率及可靠性。相应的制备工艺操作简单，稳定性好。本发明有助于突破远距离微弱辐射信号
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112993075 B
(45)授权公告日 2022.08.16
(21)申请号 202110179575.4 H01L 31/18 (2006.01)
(22)申请日 2021.02
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