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一种AlN模板及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-11 发布于四川
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一种AlN模板及其制备方法.pdf

    本发明涉及一种AlN模板及其制备方法，所述AlN模板包括衬底(1)和设置在所述衬底(1)上的AlN缓冲层(2)，所述AlN缓冲层(2)上设有uGaN层(3)，所述uGaN层(3)上设有Mg掺杂的pGaN层(4)且所述pGaN层(4)中Mg的掺杂浓度为5×1019cm‑3～1×1021cm‑3，所述pGaN层(4)上设有AlN层(5)。其应力状态为张应力，能够解决AlN模板存在的“龟裂”问题。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116247144 A (43)申请公布日 2023.06.09 (21)申请号 202310106326.1 H01L 33/32 (2010.01)

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