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本发明公开了一种生长具有高温稳定性的纳米孪晶铜的硅通孔填充方法。该方法包括以下步骤：(1)在硅基片上通过干法刻蚀或湿法刻蚀形成通孔；(2)采用热氧化工艺将硅基片表面氧化，在侧壁上形成绝缘层；(3)利用光刻技术在Si基片的外围区域覆盖光刻胶，从而使Si基片中间位置形成一个圆形图案，且保证所述通孔位于所述圆形图案区域内；(4)在通孔中制作阻挡层和种子层；(5)以Cu板为阳极，以种子层为阴极，采用直流电镀的方式在通孔内生长纳米孪晶铜；(6)去除外围光刻胶。采用本发明的方法能够提高硅通孔互连材料的电学性
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113013085 A
(43)申请公布日
2021.06.22
(21)申请号 20191
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