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本发明提出一种基于SOI材料的超低电容TVS器件及制造方法，该TVS器件包括：衬底层，该衬底层采用SOI硅片制作；N阱/P阱/N+/P+区域，该N阱/P阱/N+/P+区域形成于衬底层上，由N阱/P阱/N+/P+区域构成TVS管；N+/P+区域，该N+/P+区域形成于衬底层上，由N+/P+区域构成开关管；表面浅槽，该表面浅槽形成于N+/P+区域，并环绕于N+与P+之间，其结深浅于N+/P+区域的结深；浅槽填充层，该浅槽填充层采用氧化层形成于表面浅槽内；表面深槽，该表面深槽形成于衬底层上，并将N阱/
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112968063 A
(43)申请公布日 2021.06.15
(21)申请号 202110324193.6
(22)申请日 2021.03.26
(71)申请人 傲威半导体无锡有限公司
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