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- 2023-06-11 发布于四川
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本申请提供一种3DNAND存储器件的制造方法，在对沟道孔侧壁的氮化硅层进行氧化时，首先在第一温度下进行氧化，得到沟道孔的顶部和底部氧化较为均匀的第一氧化膜，之后再在第二温度下继续进行氧化，由于第一氧化膜对含氧化合物的消耗较少，使得含氧化合物能够较均匀的分布在沟道孔内部，因此氮化硅层在高温下也能继续进行均匀的氧化，得到沟道孔的顶部和底部氧化较为均匀的第二氧化膜。由此可见，本申请实施例的方法能够解决在3DNAND存储器件制造过程中沟道孔的顶部反应过快而底部反应较慢，导致顶部的氧化硅较厚而底部氧化
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113013173 A
(43)申请公布日 2021.06.22
(21)申请号 202110251919.8
(22)申请日 2021.03.08
(71)申请人 长江
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