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本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种碳化硅闸沟槽式功率半导体器件，其中，包括：基底和外延层；形成在外延层上表面的介电质层和铝金属层；形成在外延层本体外侧的闸极氧化层和闸极多晶硅层；依次形成在外延层本体内的P‑掺杂区、N+掺杂区和P+掺杂区，P+掺杂区和N+掺杂区均位于P‑掺杂区内，N+掺杂区的横截面形成朝向外延层的上表面的折弯状，P+掺杂区包覆N+掺杂区平行于外延层上表面的部分区域；P+掺杂区铝金属层接触，N+掺杂区分别与闸极氧化层、铝金属层以及介电质层接触，P‑掺杂区与闸极氧化层接触。本发
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112993013 A
(43)申请公布日 2021.06.18
(21)申请号 202110538835.2
(22)申请日 2021.05.18
(71)申请人 江苏
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