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本发明涉及一种巨量转移方法和装置，其中方法包括以下步骤：向记忆材料施加第一预设温度，使记忆材料保持第一状态；将生长基板上的微型LED芯片与处于第一状态的记忆材料相接触；向记忆材料施加第二预设温度，使记忆材料发生形变，由第一状态改变为第二状态；待微型LED芯片稳定吸附于记忆材料上后，剥离生长基板。该巨量转移方法，无需额外提供吸附力产生装置，且所采用的记忆材料可重复利用，无消耗，成本低。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112992753 A
(43)申请公布日 2021.06.18
(21)申请号 202010443841.5
(22)申请日 2020.05.22
(71)申请人 重庆康佳光电技术研究院有限公司
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