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- 2023-06-11 发布于四川
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本发明公开了一种用于制冷的透明P型半导体纳米薄膜的制作方法，喷液中氧化硼和碲化镉的合理比例为p型半导体掺入足够多的空穴，保证了多子(空穴)的浓度，使得导电性能强；氧化铟的加入催化了反应的进行，极大的提高了反应速度、处理液的透明性；膜层可承载高直流电压，透光率高，拥有防氧化、耐腐蚀，使用寿命长的特点，可制作成大型制冷片。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112968122 A
(43)申请公布日 2021.06.15
(21)申请号 202110363016.9
(22)申请日 2021.04.02
(71)申请人 福建晶烯新材料科技有限公司
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