形成半导体器件的方法.pdfVIP

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2023-06-11 发布于四川
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形成半导体器件的方法.pdf

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方法包括形成蚀刻掩模以覆盖芯轴、第一间隔件和第二间隔件，并且第一间隔件和第二间隔件与芯轴的相对侧壁接触。然后图案化蚀刻掩模，并且蚀刻掩模包括覆盖第一间隔件的第一部分、覆盖第二间隔件的第二部分以及将第一部分连接至第二部分的桥部分。桥部分具有第一侧壁。使用蚀刻掩模对芯轴实施第一蚀刻工艺以限定图案，并且在第一蚀刻工艺之后，芯轴包括具有与对应的第一侧壁垂直对准的第二侧壁的第二桥部分。在蚀刻穿过芯轴之后，实施第二蚀刻工艺以使芯轴的第二桥部分横向凹进。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116246953 A (43)申请公布日 2023.06.09 (21)申请号 202310031184.7 (22)申请日 2023.01.10 (30)优先权数据 63/268,179 2022